Цього року більше половини пам’яті DRAM виробництва Samsung буде випущено за нормами 20 нм


 
У минулому році компанія Samsung Electronics почала серійний випуск пам’яті DRAM по 20 – нанометровій технології. Цього року перехід на 20 – нанометровій технології продовжиться, так що за підсумками року більше половини пам’яті DRAM виробництва Samsung буде випущено за нормами 20 нм . Таку оцінку дають галузеві джерела .
До переходу на норми 20 нм готуються й інші великі виробники DRAM – компанії SK Hynix і Micron Technology . Однак поки рано говорити про те , яку частку виробленої в цьому році пам’яті DRAM вони випустять по 20 – нанометровій технології , оскільки це залежатиме темпів збільшення відсотка вихід придатної продукції .
За даними DRAMeXchange , в наслідок переходу галузі на 20 – нанометровій технології , компанії, що продовжують використовувати для випуску DRAM технології попередніх поколінь , будуть втрачати прибуток через зниження цін на їх продукцію . Це стосується , зокрема, тайваньських виробників, які досі в основному використовують 30- нанометровій або 40 – нанометровій технології .
Джерело: DigiTimes
DigiTimes

Оставить комментарий

Ваш email не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *

Вы можете использовать это HTMLтеги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>